GaN Systems
發(fā)布日期：2018-11-15 瀏覽次數(shù)：117028
品牌介紹
GaN Systems 是一家總部坐落于加拿大渥太華的功率器件半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司專注于氮化鎵功率器件的研發(fā)，其產(chǎn)品充分實(shí)現(xiàn)了氮化鎵材料在功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。為克服硅器件在開關(guān)速度、溫度、電壓和電流方面的瓶頸，GaN Systems研發(fā)出全功率范圍的氮化鎵功率開關(guān)管，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信電源、工業(yè)電源及交通電源等市場(chǎng)。
GaN Systems獨(dú)特的lsland Technology®技術(shù)革命性的提升了產(chǎn)品成本、性能和可量產(chǎn)性，使芯片更小、更高效。Fabless模式便于GaN Systems借助更多的多代工資源，輔以其他創(chuàng)新手段，得以使任何設(shè)計(jì)方案都能容易采用他們的氮化鎵器件。GaN Systems擁有一個(gè)有著數(shù)十年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和成功記錄的管理及設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。公司將繼續(xù)致力于拓展氮化鎵器件在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的更多應(yīng)用。
官網(wǎng)：www.gansystems.com
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產(chǎn)品介紹
100V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管
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產(chǎn)品編號(hào) |
IDS |
RDS(on) |
QG |
外形尺寸 |
封裝散熱 |
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GS61004B |
38 A |
16 m? |
3.3 nC |
4.6 x 4.4 x 0.51 毫米 |
底部 |
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GS61008P |
90 A |
7 m? |
8 nC |
7.6 x 4.6 x 0.51 毫米 |
底部 |
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GS61008T |
90 A |
7 m? |
8 nC |
7.0 x 4.0 x 0.54 毫米 |
頂部 |
650V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管
產(chǎn)品編號(hào)
IDS
RDS(on)
QG
外形尺寸
封裝散熱
GS-065-004-1-L
4 A
450 m?
0.8 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部
GS-065-008-1-L
8 A
225 m?
1.5 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部
GS-065-011-1-L
11 A
150 m?
2.2 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部
GS-065-011-2-L
11 A
150 m?
2.2 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部
GS-065-018-2-L
18 A
78 m?
4 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部
GS-065-030-2-L
30 A
50 m?
6.7 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部
GS66502B
7.5 A
200 m?
1.6 nC
5.0 x 6.6 x 0.51 毫米
底部
GS66504B
15 A
100 m?
3.3 nC
5.0 x 6.6 x 0.51 毫米
底部
GS66506T
22.5 A
67 m?
4.5 nC
5.6 x 4.5 x 0.54 毫米
底部
GS66508B
30 A
50 m?
6.1 nC
7.0 x 8.4 x 0.51 毫米
底部
GS66508T
30 A
50 m?
6.1 nC
7.0 x 4.5 x 0.54 毫米
頂部
GS-065-060-5-B-A
60 A
25 m?
14 nC
11.0 x 9.0 x 0.63 毫米
底部
GS-065-060-5-T-A
60 A
25 m?
14 nC
9.0 x 7.6 x 0.69 毫米
頂部
GS-065-060-3-B
60 A
25 m?
14 nC
11.0 x 9.0 x 0.45 毫米
底部
GS66516B
60 A
25 m?
14.2 nC
11.0 x 9.0 x 0.54 毫米
底部
GS-065-060-3-T
60 A
25 m?
14 nC
9.2 x 7.8 x 0.49 毫米
頂部
GS66516T
60 A
25 m?
14.2 nC
9.0 x 7.6 x 0.54 毫米
頂部
GS-065-150-1-D2
150 A
10 m?
33 nC
12.6 x 5.6 x 0.3 毫米
晶片
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